(A)Study on the poly-Si TFT fabricated at 180°C by employing ICP-CVD and ELA

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(A)Study on the poly-Si TFT fabricated at 180°C by employing ICP-CVD and ELA : ICP-CVD와 ELA를 이용하여 180도 온도에서 제작된 多結晶 실리콘 薄膜 트랜지스터에 關한 硏究

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	한민구	-
dc.contributor.author	이민철	-
dc.date.accessioned	2010-01-27T23:14:35Z	-
dc.date.available	2010-01-27T23:14:35Z	-
dc.date.copyright	2004.	-
dc.date.issued	2004	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000053461	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/45854	-
dc.description	Thesis (doctoral)--서울대학교 대학원 :전기·컴퓨터공학부,2004.	en
dc.format.extent	xiii, 157 p.	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	다결정 실리콘 박막 트랜지스터(poly-Si TFT)	en
dc.subject	Poly-si tft	en
dc.subject	플라스틱	en
dc.subject	Plastic	en
dc.subject	유도결합 플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD)	en
dc.subject	Icp-cvd	en
dc.subject	엑시머 레이저	en
dc.subject	Ela	en
dc.subject	아산화질소 (N2O) 플라즈마	en
dc.subject	Nitrous oxide plasma	en
dc.subject	탈수소	en
dc.subject	Dehydrogenation	en
dc.subject	재결정화	en
dc.subject	Recrystallization	en
dc.subject	평탄밴드 전압	en
dc.subject	Flat-band voltage	en
dc.subject	이동도	en
dc.subject	Mobility	en
dc.subject	문턱전압이하기울기	en
dc.subject	Sub-threshold swing.	en
dc.title	(A)Study on the poly-Si TFT fabricated at 180°C by employing ICP-CVD and ELA	en
dc.title.alternative	ICP-CVD와 ELA를 이용하여 180도 온도에서 제작된 多結晶 실리콘 薄膜 트랜지스터에 關한 硏究	en
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	전기·컴퓨터공학부	-
dc.description.degree	Doctor	en

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