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(A)Study on the characterization methodology of silicon nitride using the charge decay model of SONOS flash memories : SONOS 메모리 소자의 전하 감소 모델을 이용한 실리콘 질화막 물성 분석 방법론에 관한 연구

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dc.contributor.advisor박병국-
dc.contributor.author김태훈-
dc.date.accessioned2010-02-02T16:05:26Z-
dc.date.available2010-02-02T16:05:26Z-
dc.date.copyright2006.-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000046589eng
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/48860-
dc.descriptionThesis(doctoral)--서울대학교 대학원 :전기·컴퓨터공학부,2006.en
dc.format.extentv, 92 p.en
dc.language.isoenen
dc.publisher서울대학교 대학원en
dc.subjectCMOS VLSI 기술en
dc.subjectCMOS VLSI technologyen
dc.subject비휘발성 메모리en
dc.subjectnonvolatile memoryen
dc.subject플래시 메모리en
dc.subjectflash memoryen
dc.subjectSONOSen
dc.subjectSONOSen
dc.subjectFLOTOXen
dc.subjectFLOTOXen
dc.subject실리콘 질화막en
dc.subjectsilicon nitrideen
dc.subject실리콘 리치 실리콘 질화막en
dc.subjectsilicon rich silicon nitrideen
dc.subject트랩 밀도 분포en
dc.subjecttrap density distributionen
dc.title(A)Study on the characterization methodology of silicon nitride using the charge decay model of SONOS flash memoriesen
dc.title.alternativeSONOS 메모리 소자의 전하 감소 모델을 이용한 실리콘 질화막 물성 분석 방법론에 관한 연구en
dc.typeThesis-
dc.contributor.department전기·컴퓨터공학부-
dc.description.degreeDoctoren
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