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부분적으로 격자완화된 InGaAsGaAs 양자우물구조에서 깊은준위의 전기적 특성 연구
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 최병두 | - |
dc.contributor.author | 문창록 | - |
dc.date.accessioned | 2010-02-22 | - |
dc.date.available | 2010-02-22 | - |
dc.date.copyright | 1995. | - |
dc.date.issued | 1995 | - |
dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000085152 | kog |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/56220 | - |
dc.description | 학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :물리학과,1995. | ko |
dc.format.extent | ⅲ, 36 장 | ko |
dc.language.iso | ko | ko |
dc.publisher | 서울대학교 대학원 | ko |
dc.title | 부분적으로 격자완화된 InGaAsGaAs 양자우물구조에서 깊은준위의 전기적 특성 연구 | ko |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.department | 물리학과 | - |
dc.description.degree | Master | ko |
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