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Modeling of the segregation probability of Ge during Si GSMBE growth on Si₁[-x]Ge[x] alloys : 실리콘-게르마늄 기판 위에서 실리콘 GSMBE 성장시 게르마늄원자의 표면으로의 이동에 대한 모델링
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 이홍희 | - |
| dc.contributor.author | 윤현식 | - |
| dc.date.accessioned | 2010-03-09T07:10:17Z | - |
| dc.date.available | 2010-03-09T07:10:17Z | - |
| dc.date.copyright | 1998. | - |
| dc.date.issued | 1998 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000075686 | eng |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/58954 | - |
| dc.description | Thesis (master`s)--서울대학교 대학원 :화학공학과,1998. | en |
| dc.format.extent | iv, 23 p. | en |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | en |
| dc.title | Modeling of the segregation probability of Ge during Si GSMBE growth on Si₁[-x]Ge[x] alloys | en |
| dc.title.alternative | 실리콘-게르마늄 기판 위에서 실리콘 GSMBE 성장시 게르마늄원자의 표면으로의 이동에 대한 모델링 | - |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.department | 화학공학과 | - |
| dc.description.degree | Master | en |
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