Publications
Detailed Information
Process and Design for Improved Blocking Characteristics of AlGaNGaN Power Devices : AlGaNGaN 전력 소자의 저지 특성 향상을 위한 공정 및 구조 설계
Cited 0 time in
Web of Science
Cited 0 time in Scopus
- Authors
- Advisor
- 한민구
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- GaN ; AlGaN ; AlGaN ; GaN ; 고전자 이동도 트랜지스터 (HEMT) ; High electron mobility Transistor (HEMT) ; 쇼트키 장벽다이오드 (SBD) ; Schottky barrier diode (SBD) ; 누설 전류 ; Leakage current ; 항복 전압 ; Breakdown voltage ; 표면 손상 ; Surface damage ; 전계 집중 ; Electric field concentration ; 패시베이션 ; Passivation ; 열처리 ; Annealing ; 경사면 필드 플레이트 ; Tapered field plate
- Description
- Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000032543
https://hdl.handle.net/10371/63982
- Files in This Item:
- There are no files associated with this item.
Item View & Download Count
Items in S-Space are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.