Modeling of Polysilicon Depletion Effect and Surface Potential Variation in Recessed Channel MOSFETs

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Modeling of Polysilicon Depletion Effect and Surface Potential Variation in Recessed Channel MOSFETs : 함몰 채널 구조를 갖는 MOSFET에서의 폴리실리콘 공핍현상과 표면전위 모델링

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	신형철	-
dc.contributor.author	강연성	-
dc.date.accessioned	2010-05-10T09:57:18Z	-
dc.date.available	2010-05-10T09:57:18Z	-
dc.date.copyright	2010	-
dc.date.issued	2010	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000033419	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/65221	-
dc.description	Thesis(masters) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2.	en
dc.format.extent	iv, 44 leaves	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	함몰채널 금속 산화물 반도체	en
dc.subject	RC MOSFETs	en
dc.subject	폴리실리콘 공핍 현상	en
dc.subject	Polysilicon depletion effect	en
dc.subject	게이트 공핍현상	en
dc.subject	Poly depletion effect	en
dc.subject	디바이스 모델링	en
dc.subject	Gate depletion	en
dc.subject	준정적 커패시턴스	en
dc.subject	Device modeling	en
dc.subject	커패시턴스 모델링	en
dc.subject	Quasi-static capacitance	en
dc.subject	Capacitance modelling	en
dc.title	Modeling of Polysilicon Depletion Effect and Surface Potential Variation in Recessed Channel MOSFETs	en
dc.title.alternative	함몰 채널 구조를 갖는 MOSFET에서의 폴리실리콘 공핍현상과 표면전위 모델링	en
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	전기. 컴퓨터공학부	-
dc.description.degree	Master	en

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