Poly-Si TFT와 IGZO TFT를 이용한 AMOLED 디스플레이용 디지털 집적회로 연구

Abstract

본연구는AMOLED 디스플레이의 CMOS구동회로를p-type의LTPS TFT와 n-type의AOS TFT의hybrid구조로구현한내용을주제로한다. LTPS TFT는ELA 결정화를 통해 형성된 poly-si를 반도체 물질로 사용하였고, AOS TFT는 IGZO6를 반도체 물질로 사용하였다. 이와 같은 hybrid 구조로 inverter 및 ring oscillator 회 로를 설계 및 제작하였고, 각각의 TFT 소자와 회로 특성을 측정하였다. Hybrid의 구조의 CMOS inverter가 full-swing 동작을 하는 것을 확인하였고, ring-oscillator 가150㎲주기로oscillation함을확인하였다.이를통해TFT소자특성이좀더개선 된다면 더 다양한 AMOLED용 구동회로를 저전력의 hybrid CMOS 구조로 제작할 수 있음을 보였다.

In this paper, hybrid complementary metal oxide semiconductor (CMOS) digital circuits composed of p-type low-temperature poly-crystalline silicon (LTPS) thin-film transistor (TFT) using excimer laser annealing(ELA) of amorphous Si and n-type amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) TFT are reported. The inverter exhibits a full swing output and a large noise margin. The ring oscillator exhibits 150㎲oscillation frequency.With these hybrid TFT circuit components, more powerefficient CMOS digital circuits for active-matrix organic light emitting diode display can be implemented.