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Folded NAND-Type Charge Trap Flash Memory Device with Bandgap-Engineered Storage Node and Its Array : Fabrication and Reliable Operation : 밴드갭이 조절된 저장 노드를 갖는 접힌 형태의 전하 포획 방식 낸드형 플래시 메모리 소자와 어레이 : 공정 및 신뢰성 있는 동작 방법
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 박병국 | - |
| dc.contributor.author | 조성재 | - |
| dc.date.accessioned | 2010-05-04T05:32:29Z | - |
| dc.date.available | 2010-05-04T05:32:29Z | - |
| dc.date.copyright | 2010 | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000032542 | eng |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/63983 | - |
| dc.description | Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2. | en |
| dc.format.extent | xv, 176 p. | en |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | en |
| dc.subject | 비휘발성 메모리 | en |
| dc.subject | nonvolatile memory | en |
| dc.subject | 플래시 메모리 | en |
| dc.subject | flash memory | en |
| dc.subject | 낸드 어레이 | en |
| dc.subject | NAND array | en |
| dc.subject | 접힌 구조 | en |
| dc.subject | Folded NAND (FNAND) | en |
| dc.subject | 수직 채널 | en |
| dc.subject | vertical silicon channel | en |
| dc.subject | 밴드갭 조절 | en |
| dc.subject | bandgap-engineering | en |
| dc.subject | 전기적 간섭 | en |
| dc.subject | paired cell interference (PCI) | en |
| dc.title | Folded NAND-Type Charge Trap Flash Memory Device with Bandgap-Engineered Storage Node and Its Array : Fabrication and Reliable Operation | en |
| dc.title.alternative | 밴드갭이 조절된 저장 노드를 갖는 접힌 형태의 전하 포획 방식 낸드형 플래시 메모리 소자와 어레이 : 공정 및 신뢰성 있는 동작 방법 | en |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.department | 전기. 컴퓨터공학부 | - |
| dc.description.degree | Doctor | en |
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