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Folded NAND-Type Charge Trap Flash Memory Device with Bandgap-Engineered Storage Node and Its Array : Fabrication and Reliable Operation : 밴드갭이 조절된 저장 노드를 갖는 접힌 형태의 전하 포획 방식 낸드형 플래시 메모리 소자와 어레이 : 공정 및 신뢰성 있는 동작 방법
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- Authors
- Advisor
- 박병국
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 비휘발성 메모리 ; nonvolatile memory ; 플래시 메모리 ; flash memory ; 낸드 어레이 ; NAND array ; 접힌 구조 ; Folded NAND (FNAND) ; 수직 채널 ; vertical silicon channel ; 밴드갭 조절 ; bandgap-engineering ; 전기적 간섭 ; paired cell interference (PCI)
- Description
- Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000032542
https://hdl.handle.net/10371/63983
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