Publications
Detailed Information
고전력 소자용 AlGaN/GaN MIS-HEMTs의 게이트 절연막과 표면처리에 관한 연구
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 서광석 | - |
dc.contributor.author | 류호진 | - |
dc.date.accessioned | 2017-07-14T03:00:30Z | - |
dc.date.available | 2017-07-14T03:00:30Z | - |
dc.date.issued | 2015-02 | - |
dc.identifier.other | 000000026157 | - |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/123162 | - |
dc.description | 학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 전기·컴퓨터공학부, 2015. 2. 서광석. | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서는 고전력, 고전압 회로에 응용되는 AlGaN/GaN MIS-HEMT의 forward gate leakage current와 관련하여 게이트 절연막과 표면처리에 관한 연구를 진행하였다.
AlGaN/GaN HEMTs는 electron density, high electron mobility, thermal conductivity 등의 특성이 우수하여 고효율 전력소자의 유망한 후보이다. High speed power switching application을 위해서 E-mode 동작은 비용효과와 회로 단순화 그리고 신뢰성 문제 등을 위해서 크게 요구되는 부분이다. Gate recess를 통한 normally-off MIS-HEMT의 경우, 절연막내의 positive fixed charges로 인해 큰 게이트 전압 swing과 함께 high threshold voltage를 갖기가 힘들다. 또한 소비전력을 최소화시키기 위해서, 작은 forward gate leakage는 전력소자를 위해 필수적인 특성이다. 그러므로 MIS-HEMT의 고품질 게이트 절역막에 관한 연구는 세계적으로도 계속되고 있다. 막 증착 조건을 달리하여 ICP-CVD SiNx와 PEALD SiNx의 전기적인 특성을 이전보다 개선하였고 이를 통하여 우수한 전기적 특성을 갖는 thick PEALD/ICPCVD SiNx dual 게이트 절연막을 얻었다. 개선된 게이트 절연막을 사용함으로써, E-mode 동작 뿐만 아니라low forward gate leakage current, large gate swing, 개선된 pulsed I-V 특성을 갖는 AlGaN/GaN MIS-HEMT를 제작하였다. 본 연구 결과를 통해 AlGaN/GaN MIS-HEMT의 gate 특성 향상을 얻었고, 이는 보다 신뢰성 있는 고출력 고전압 소자로 활용될 수 있을 것이다. | - |
dc.description.tableofcontents | 제 1 장 서론 1
1.1 GaN Power HEMTs 개요 1 1.2 MIS-HEMTs Issue 와 연구방향 3 제 2 장 Plasma Enhanced ALD SiNx 최적화 8 2.1 PEALD SiNx Growth rate 개선 8 2.1.1 SiH4 adsorption step 최적화 10 2.1.2 N2 plasma step 최적화 11 2.2 Thin PEALD SiNx의 전기적 특성개선 14 제 3 장 ICP-CVD SiNx 최적화 17 제 4 장 Thick PEALD/ICP-CVD SiNx Dual Insulator 23 제 5 장 Gate Recessed Normally-off AlGaN/GaN MIS-HEMTs 26 5.1 Gate-last process for gate recessed MIS-HEMTs 26 5.2 측정과 결과 27 5.2.1 I-V 특성 27 5.2.2 Pulsed I-V 특성 32 제 6 장 결론 및 앞으로의 과제 35 6.1 결론 35 6.2 앞으로의 과제 36 참고 문헌 37 | - |
dc.format | application/pdf | - |
dc.format.extent | 1272033 bytes | - |
dc.format.medium | application/pdf | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 서울대학교 대학원 | - |
dc.subject | AlGaN/GaN MIS-HEMT | - |
dc.subject.ddc | 621 | - |
dc.title | 고전력 소자용 AlGaN/GaN MIS-HEMTs의 게이트 절연막과 표면처리에 관한 연구 | - |
dc.type | Thesis | - |
dc.description.degree | Master | - |
dc.citation.pages | 47 | - |
dc.contributor.affiliation | 공과대학 전기·컴퓨터공학부 | - |
dc.date.awarded | 2015-02 | - |
- Appears in Collections:
- Files in This Item:
Item View & Download Count
Items in S-Space are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.