Program / erase / retention modeling of nitride-based charge trapping flash memory and its characterization

김두현

Program / erase / retention modeling of nitride-based charge trapping flash memory and its characterization
질화막 트래핑 플래쉬 메모리의 쓰기 / 지우기 / 유지능력 모델링과 특성 분석에 관한 연구

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Authors: 김두현

Advisor: 박병국

Major: 전기. 컴퓨터공학부

Issue Date: 2011-08

Publisher: 서울대학교 대학원

Keywords: 전하; 트랩; 플래시 메모리; 쓰기; 지우기; 유지 능력; SONOS; 모델; 시뮬레이션; 실리콘 질화막; 트랩 밀도; charge trap; flash memory; program; erase; retention; model; simulation; silicon nitride; trap density

Description: 학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 전기. 컴퓨터공학부, 2011.8. 박병국.

Language: eng

URI: http://hdl.handle.net/10371/158986

http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000031097

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