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Characterization and optimization of charge trapping behaviors for non-volatile memory (NVM) device : 비휘발성 메모리에 적용되는 전하 트래핑 거동의 특성 측정 및 최적화 연구
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- Authors
- Advisor
- 박병국
- Major
- 전기. 컴퓨터공학부
- Issue Date
- 2011-08
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- SONOS 플래시 메모리 ; ONO 층 두께 ; ONO 캡 ; 전하 트래핑 거동 ; 터널 장벽 ; 전하 저장막 ; 성능 최적화 ; 프로그램 ; 지우기 특성 ; 메모리 윈도우 ; 전하 유지 특성 ; SONOS flash memory ; ONO multilayer capacitor ; charge trapping behaviors ; modulated tunnel barrier ; modulated charge storage layer ; performance optimization ; program ; erase characteristics ; memory window ; data retention
- Description
- 학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 전기. 컴퓨터공학부, 2011.8. 박병국.
- Language
- eng
- URI
- https://hdl.handle.net/10371/159064
http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000031088
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