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Investigation of reliability and gas Sensing properties in back-gated germanium nanowire FET : Back-gated Ge 나노와이어 FET 소자에서의 신뢰도 및 센서 응용을 위한 가스 반응 연구
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- Authors
- Advisor
- 이종호
- Major
- 전기. 컴퓨터공학부
- Issue Date
- 2011-08
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- Ge 나노와이어 ; 신뢰도 ; 가스 센서 ; 게이트 바이어스 및 온도 스트레스 ; 화학물질 및 수분의 반응에 의한 전기적 특성 변화 ; Ge nanowire ; reliability ; gas sensor ; gate bias and temperature stress ; electrical characteristics change by reaction to chemical substances and water
- Description
- 학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 전기. 컴퓨터공학부, 2011.8. 이종호.
- Language
- eng
- URI
- https://hdl.handle.net/10371/159645
http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000031693
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