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유기금속 화학기상 증착법으로 Si기판에 형성한 Hf-기반 게이트 유전막의 성장 및 특성향상에 관한 연구 : Study of growth and characteristics enhancement of Hf-based gate dielectrics deposited by metal organic chemical vapor deposition
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 황철성 | - |
| dc.contributor.author | 이석우 | - |
| dc.date.accessioned | 2010-01-25T07:25:00Z | - |
| dc.date.available | 2010-01-25T07:25:00Z | - |
| dc.date.copyright | 2005. | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000050837 | kog |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/43556 | - |
| dc.description | 학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :협동과정 나노과학기술전공,2005. | ko |
| dc.format.extent | xiii, 125 p. | ko |
| dc.language.iso | ko | ko |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | ko |
| dc.subject | HfO2 | ko |
| dc.subject | Hf-silicate | ko |
| dc.subject | gate oxide | ko |
| dc.subject | CVD | ko |
| dc.title | 유기금속 화학기상 증착법으로 Si기판에 형성한 Hf-기반 게이트 유전막의 성장 및 특성향상에 관한 연구 | ko |
| dc.title.alternative | Study of growth and characteristics enhancement of Hf-based gate dielectrics deposited by metal organic chemical vapor deposition | ko |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.department | 협동과정 나노과학기술전공 | - |
| dc.description.degree | Master | ko |
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