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(A)Study on the poly-Si TFT fabricated at 180°C by employing ICP-CVD and ELA : ICP-CVD와 ELA를 이용하여 180도 온도에서 제작된 多結晶 실리콘 薄膜 트랜지스터에 關한 硏究
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- Authors
- Advisor
- 한민구
- Issue Date
- 2004
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(poly-Si TFT) ; Poly-si tft ; 플라스틱 ; Plastic ; 유도결합 플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD) ; Icp-cvd ; 엑시머 레이저 ; Ela ; 아산화질소 (N2O) 플라즈마 ; Nitrous oxide plasma ; 탈수소 ; Dehydrogenation ; 재결정화 ; Recrystallization ; 평탄밴드 전압 ; Flat-band voltage ; 이동도 ; Mobility ; 문턱전압이하기울기 ; Sub-threshold swing.
- Description
- Thesis (doctoral)--서울대학교 대학원 :전기·컴퓨터공학부,2004.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000053461
https://hdl.handle.net/10371/45854
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