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College of Engineering/Engineering Practice School (공과대학/대학원)
Dept. of Electrical and Computer Engineering (전기·정보공학부)
Theses (Ph.D. / Sc.D._전기·정보공학부)
BAVI-cell : a high-speed nanoscale SONOS memory with band-to-band tunneling initiated avalanche injection Mechanism
밴드간 터널링으로 유도된 沙汰 주입 원리에 의한 고속 SONOS 메모리 소자
- Authors
- 심재성
- Advisor
- 박병국
- Issue Date
- 2005
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- CMOS VLSI 기술; CMOS VLSI technology; 비휘발성 메모리; nonvolatile memory; 플래시 메모리; flash memory; 소노스 (SONOS); SONOS; 플로팅 게이트 메모리; FLOTOX; 질화막; silicon nitride; 핫 캐리어 주입; floating gate; 핫 홀; hot-carrier injection; 홀 터널링; hot-hole; 사태 (沙汰; hole tunneling; avalanche); avalanche; 밴드간 터널링; band-to-band tunneling; 지우기 속도; erase speed; 전하 분포; charge distribution; p-채널 MOSFET; p-channel MOSFET; BAVI 셀; BAVI
- Description
- Thesis(doctoral)--서울대학교 대학원 :전기컴퓨터공학부,2005.
- Language
- English
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