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BAVI-cell : a high-speed nanoscale SONOS memory with band-to-band tunneling initiated avalanche injection Mechanism : 밴드간 터널링으로 유도된 沙汰 주입 원리에 의한 고속 SONOS 메모리 소자
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- Authors
- Advisor
- 박병국
- Issue Date
- 2005
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- CMOS VLSI 기술 ; CMOS VLSI technology ; 비휘발성 메모리 ; nonvolatile memory ; 플래시 메모리 ; flash memory ; 소노스 (SONOS) ; SONOS ; 플로팅 게이트 메모리 ; FLOTOX ; 질화막 ; silicon nitride ; 핫 캐리어 주입 ; floating gate ; 핫 홀 ; hot-carrier injection ; 홀 터널링 ; hot-hole ; 사태 (沙汰 ; hole tunneling ; avalanche) ; avalanche ; 밴드간 터널링 ; band-to-band tunneling ; 지우기 속도 ; erase speed ; 전하 분포 ; charge distribution ; p-채널 MOSFET ; p-channel MOSFET ; BAVI 셀 ; BAVI
- Description
- Thesis(doctoral)--서울대학교 대학원 :전기컴퓨터공학부,2005.
- Language
- English
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