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저온 중수소 어닐링 공정이 SiSiO₂ 계면의 전기적 특성에 미치는 영향에 관한 연구 : Effects of low temperature deuterium annealing on electrical properties at SiSiO₂ interface
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- Authors
- Advisor
- 이종덕
- Issue Date
- 2007
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- deuterium annealing ; 중수소 어닐링 ; interface traps ; 계면 트랩 ; CHE stresses ; CHE 전기적 스트레스 ; FN stresses ; FN 전기적 스트레스 ; RIE damages ; RIE 손상 ; CMOS APS ; CMOS 액티브 픽셀 센서
- Description
- 학위논문(석사) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2007.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000043843
https://hdl.handle.net/10371/52486
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