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양자 제한 효과에 의한 밴드 간격 증가를 이용한 트랜치 터널링 장벽 단전자 트랜지스터 : Trench tunneling barrier single-electron transistors (TSETs) using bandgap increase by quantum confinement effect
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- Authors
- Advisor
- 박병국
- Issue Date
- 2007
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 소자 크기 축소 ; scaling down ; 단전자 트랜지스터 ; SET ; 트랜치 ; trench ; 양자제한효과 ; quantum confinement effect ; NDT ; NDT
- Description
- 학위논문(석사) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2007.
- Language
- Korean
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000043877
https://hdl.handle.net/10371/52529
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