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College of Engineering/Engineering Practice School (공과대학/대학원)
Dept. of Electrical and Computer Engineering (전기·정보공학부)
Theses (Ph.D. / Sc.D._전기·정보공학부)
Fin and Recess Channel MOSFET for High Speed and Low Power DRAM Cell
고속 저전력 디램 셀을 위한 핀과 리세스 혼합 채널 MOSFET
- Authors
- 송재영
- Advisor
- 박병국
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 핀과 리세스 혼합 채널 MOSFET (FiReFET); Fin and Recess Channel MOSFET (FiReFET); 함몰게이트 구조; buried-gate structure; 소스; source; 드레인 저항; drain resistance; 게이트 유도 드레인 누설 (GIDL); Gate-Induced Drain Leakage (GIDL); 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 (DRAM); Dynamic Random Access Memory (DRAM); 고속; high speed; 저전력; low power
- Description
- Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000032541
http://hdl.handle.net/10371/63984
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