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Modeling of Polysilicon Depletion Effect and Surface Potential Variation in Recessed Channel MOSFETs : 함몰 채널 구조를 갖는 MOSFET에서의 폴리실리콘 공핍현상과 표면전위 모델링
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- Authors
- Advisor
- 신형철
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 함몰채널 금속 산화물 반도체 ; RC MOSFETs ; 폴리실리콘 공핍 현상 ; Polysilicon depletion effect ; 게이트 공핍현상 ; Poly depletion effect ; 디바이스 모델링 ; Gate depletion ; 준정적 커패시턴스 ; Device modeling ; 커패시턴스 모델링 ; Quasi-static capacitance ; Capacitance modelling
- Description
- Thesis(masters) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000033419
https://hdl.handle.net/10371/65221
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